[发明专利]制备多晶硅还原生产用混合气供料的装置

权利要求书

1.一种制备多晶硅还原生产用混合气供料的装置，其特征在于，包括：

本体，所述本体内限定出汽化空间；

氢气进料口，所述氢气进料口设置在所述本体上，用于向所述汽化空间中引入所述氢气；

三氯氢硅进料口，所述三氯氢硅进料口设置在所述本体上，用于向所述汽化空间中引入所述三氯氢硅；

二氯二氢硅进料口，所述二氯二氢硅进料口设置在所述本体上，用于向所述汽化空间中引入所述二氯二氢硅；以及

还原生产用混合气供料出口，所述还原生产用混合气供料出口设置在所述本体上，用于将获得的还原生产用混合气供料输送出所述制备多晶硅还原生产用混合气供料的装置。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括:

温度控制组件，所述温度控制组件设置在所述本体上，用于控制所述汽化空间内的温度。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述温度控制组件为夹套式加热器和盘管式加热器的至少一种。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括：

进料控制组件，所述进料控制组件分别与氢气进料口、三氯氢硅进料口和二氯二氢硅进料口相连，用于控制进入所述汽化空间的氢气、三氯氢硅和二氯二氢硅的摩尔比例。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述汽化过程是在-5摄氏度～100摄氏度的温度以及0.2MPa～0.8MPa的压力下进行的。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢气和三氯氢硅的摩尔比为1～10:1。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢气、三氯氢硅和二氯二氢硅的摩尔比为40:10:0.1～1。

8.一种用于制备多晶硅的设备，其特征在于，包括：

还原生产用混合气供料制备装置，所述还原生产用混合气供料制备装置为权利要求1～5任一项所述的制备多晶硅还原生产用混合气供料的装置，用于利用氢气、三氯氢硅和二氯二氢硅获得多晶硅还原生产用混合气供料；以及

多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉与所述还原生产用混合气供料制备装置相连，并且从所述还原生产用混合气供料制备装置接收所述多晶硅还原生产用混合气供料，用于制备多晶硅。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，进一步包括：

预热装置，所述预热装置分别与所述还原生产用混合气供料制备装置和多晶硅还原炉相连，用于在将所述还原混合气供料引入多晶硅还原炉中之前，对所述还原混合气供料进行预热处理。

10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述预热装置包括电加热组件。