[发明专利]一种溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法

摘要

一种溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法，分别配制Sm溶液A，S溶液B；将溶液A和B混合均匀后得前驱液C；将Si基板置于紫外照射仪中，于185nm波长光辐射后，放入十八烷基三氯硅烷-甲苯溶液中浸泡、清洗后干燥，再将基板放入紫外照射仪中进行光辐射，得到OTS-SAM功能化的硅基板；将前驱液C置于锥形瓶中，再将OTS-SAM功能化的硅基板置于其中，密封后于电热真空干燥箱中沉积，将基板放入盛有的前驱液C的水热反应釜中于电热真空干燥箱反应完成后取出基板清洗干净后干燥，即在基板表面获得SmS纳米阵列。本发明制备SmS纳米阵列的反应在液相中完成，不需要进行后期的晶化热处理，避免了SmS纳米阵列在热处理过程中可能导致的卷曲、干裂以及薄膜与衬底或气氛反应缺陷。

主权项

一种溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将分析纯SmCl3·6H2O溶于无水乙醇中，配制成Sm3+浓度为0.05～0.30mol/L的透明溶液记为A，将分析纯CS2溶于无水乙醇中，配制成S2‑浓度为0.05～0.30mol/L的透明溶液记为B；步骤二：将溶液A和B按2:1～1:3的体积比混合均匀后，用氨水溶液调节体系的pH为4.5～6.5，制得前驱液C；步骤三：将清洗干净的Si(100)基板置于紫外照射仪中，于185nm波长光辐射后，放入十八烷基三氯硅烷‑甲苯溶液中浸泡20～30min，取出基板分别用丙酮和无水乙醇洗涤后，置于电热真空干燥箱中在100～150℃下干燥，再将基板放入紫外照射仪中进行光辐射，得到OTS‑SAM功能化的硅基板；其中：十八烷基三氯硅烷‑甲苯溶液为十八烷基三氯硅烷与甲苯按1：100的体积比的混合溶液；步骤四：将前驱液C置于锥形瓶中，再将OTS‑SAM功能化的硅基板置于其中，密封后于电热真空干燥箱中，在50～80℃下沉积6～18h；步骤五：将经步骤四处理后的硅基板放入盛有的前驱液C的水热反应釜中，填充度控制在50～70％，密封反应釜，放入电热真空干燥箱中，在100～200℃下反应10～40h，反应结束后自然冷却至室温；步骤六：打开反应釜，取出基板清洗干净后，并置于电热真空干燥箱中在50～70℃下干燥，即在基板表面获得SmS纳米阵列。