[发明专利]一种溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法

权利要求书

1.一种溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将分析纯SmCl₃·6H₂O溶于无水乙醇中，配制成Sm³⁺浓度为0.05～0.30mol/L的透明溶液记为A，将分析纯CS₂溶于无水乙醇中，配制成S^2-浓度为0.05～0.30mol/L的透明溶液记为B；

步骤二：将溶液A和B按2:1～1:3的体积比混合均匀后，用氨水溶液调节体系的pH为4.5～6.5，制得前驱液C；

步骤三：将清洗干净的Si(100)基板置于紫外照射仪中，于185nm波长光辐射后，放入十八烷基三氯硅烷-甲苯溶液中浸泡20～30min，取出基板分别用丙酮和无水乙醇洗涤后，置于电热真空干燥箱中在100～150℃下干燥，再将基板放入紫外照射仪中进行光辐射，得到OTS-SAM功能化的硅基板；

其中：十八烷基三氯硅烷-甲苯溶液为十八烷基三氯硅烷与甲苯按1：100的体积比的混合溶液；

步骤四：将前驱液C置于锥形瓶中，再将OTS-SAM功能化的硅基板置于其中，密封后于电热真空干燥箱中，在50～80℃下沉积6～18h；

步骤五：将经步骤四处理后的硅基板放入盛有的前驱液C的水热反应釜中，填充度控制在50～70％，密封反应釜，放入电热真空干燥箱中，在100～200℃下反应10～40h，反应结束后自然冷却至室温；

步骤六：打开反应釜，取出基板清洗干净后，并置于电热真空干燥箱中在50～70℃下干燥，即在基板表面获得SmS纳米阵列。

2.根据权利要求1所述的溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法，其特征在于：所述的氨水溶液的质量浓度为5％。

3.根据权利要求1所述的溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法，其特征在于：所述步骤二清洗干净的Si(100)基板置于紫外照射仪中，于185nm波长光辐射10～20min。

4.根据权利要求1所述的溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法，其特征在于：所述步骤二取出基板分别用丙酮和无水乙醇洗涤3～5次。

5.根据权利要求1所述的溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法，其特征在于：所述步骤二将干燥后的基板放入紫外照射仪中进行30min光辐射。

6.根据权利要求1所述的溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法，其特征在于：所述的步骤六的清洗采用无水乙醇或异丙醇洗涤3～5次。