[发明专利]一种浪涌保护电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201310284263.5 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN103384063A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;邹有彪;刘建;宋文龙;宋洵奕;张金平;任敏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02;H02H9/04;H01L27/02;H01L21/782 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种可编程浪涌保护电路及其制造方法。本发明所述的一种浪涌保护电路，由2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管构成，主要是利用MOSFET的漏源电流来控制晶闸管的通断，从而泄放浪涌电流，并提出了制造该浪涌电路的方法。本发明的有益效果为，具有响应速度快（ns级）、承受电压电流冲击能力强的优点，并能同时实现双线双向浪涌保护，还可根据需要调节保护器件对浪涌电压的敏感度。本发明尤其适用于浪涌保护电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浪涌 保护 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种浪涌保护电路，其特征在于，包括2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管，所述2只第一种导电类型的MOSFET的栅极短接引出第一电极GN、源极分别与2只第二种导电类型的门极晶闸管的门极短接，所述2只第二种导电类型的门极晶闸管的阳极短接，所述2只第二种导电类型的MOSFET的栅极短接引出第二电极GP、源极分别与2只第一种导电类型的门极晶闸管的门极短接，所述2只第一种导电类型的门极晶闸管的阴极短接，所述第一种导电类型的门极晶闸管的阳极短接引出第三电极TIP，所述1只第二种导电类型的门极晶闸管的阴极和1只第一种导电类型的门极晶闸管的阳极短接引出第三电极TIP，所述另1只第二种导电类型的门极晶闸管的阴极和另1只第一种导电类型的门极晶闸管的阳极短接引出第四电极RING，所述第一种导电类型的MOSFET的漏极、第二种导电类型的MOSFET的漏极、第一种导电类型的门极晶闸管的阴极、第二种导电类型的门极晶闸管的阳极短接形成电极GND。
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