[发明专利]一种浪涌保护电路及其制造方法

权利要求书

1.一种浪涌保护电路，其特征在于，包括2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管，所述2只第一种导电类型的MOSFET的栅极短接引出第一电极GN、源极分别与2只第二种导电类型的门极晶闸管的门极短接，所述2只第二种导电类型的门极晶闸管的阳极短接，所述2只第二种导电类型的MOSFET的栅极短接引出第二电极GP、源极分别与2只第一种导电类型的门极晶闸管的门极短接，所述2只第一种导电类型的门极晶闸管的阴极短接，所述第一种导电类型的门极晶闸管的阳极短接引出第三电极TIP，所述1只第二种导电类型的门极晶闸管的阴极和1只第一种导电类型的门极晶闸管的阳极短接引出第三电极TIP，所述另1只第二种导电类型的门极晶闸管的阴极和另1只第一种导电类型的门极晶闸管的阳极短接引出第四电极RING，所述第一种导电类型的MOSFET的漏极、第二种导电类型的MOSFET的漏极、第一种导电类型的门极晶闸管的阴极、第二种导电类型的门极晶闸管的阳极短接形成电极GND。

2.根据权利要求1所述的一种浪涌保护电路，其特征在于，所述第一种导电类型的MOSFET为N沟道MOSFET，第二种导电类型的MOSFET为P沟道MOSFET，

所述N沟道MOSFET包括第一N型半导体衬底（14），所述第一N型半导体衬底（14）的一端设置有第一P阱（16），所述第一P阱（16）中设置有第一N阱（17），所述第一N阱（17）外侧与第一P阱（16）内侧的半导体区域上表面设置有第一电介质层（12），在第一电介质层（12）上表面设置多晶硅层或金属，由第一电介质层（12）和多晶硅或金属构成N沟道MOSFET的栅极结构（13），所述第一N阱（17）上表面还设置有接触孔和金属构成N沟道MOSFET的源极（19），所述第一N型半导体衬底（14）中设置第一P区（18），所述第一P区（18）设置在第一N型半导体衬底（14）的侧面并连接第一N型半导体衬底（14）的一端和另一端，所述第一N型半导体衬底（14）的另一端设置有第一N区（15），所述第一N型半导体衬底（14）的下表面设置金属层（9）形成N沟道MOSFET的漏极；

所述P沟道MOSFET包括第二N型半导体衬底（10），所述第二N型半导体衬底（10）中设置有第二P区（3），所述第二P区（3）中设置有第二N阱（4），所述第二N阱（4）中设置有第二P阱(5)，所述第二P阱（5）外侧与第二N阱（4）内侧的半导体区域上表面设置有第二电介质层（6），在第二电介质层（6）上表面设置多晶硅或金属，由第二电介质层（6）和多晶硅层或金属构成P沟道MOSFET的栅极结构（7），所述第二P阱（5）上表面还设置有接触孔和金属构成P沟道MOSFET的源极（8），所述第二N型半导体衬底（10）中还设置有第三P区（2），所述第三P区（2）设置在二N型半导体衬底（10）的侧边并连接第二N型半导体衬底（10）的一端和另一端，所述第二N型半导体衬底（10）的下表面设置第一金属层（9）形成P沟道MOSFET的漏极，N沟道MOSFET与P沟道MOSFET之间通过第四P区（11）连接。

3.根据权利要求2所述的一种浪涌保护电路，其特征在于，所述2只第一种导电类型的门极晶闸管为P型门极晶闸管，所述P型门极晶闸管包括第三N型半导体衬底（20），所述第三N型半导体衬底（20）的一端设置有第三P阱（23），所述第三P阱（23）中设置第一N型短路区（24），所述第三P阱（23）的上表面设置接触孔和金属形成P型门极晶闸管的门极（27），所述第一N型短路区（24）的上表面设置接触孔和金属形成P型门极晶闸管的阴极（26），所述P型门极晶闸管的阴极（26）和门极（27）通过氧化层（29）隔开，所述第三N型半导体衬底（20）的另一端设置第五P区（25），所述第三N型半导体衬底（20）还包括第六P区（21），所述第六P区（21）设置第三N型半导体衬底（20）的侧面并连接第三N型半导体衬底（20）的一端和另一端，2只P型门极晶闸管之间通过P型半导体区（22）隔离连接，所述第三N型半导体衬底（20）的下表面设置金属电极（28）做为P型门极晶闸管的阳极。