[发明专利]用于光电半导体工艺的沉积设备及其遮覆框有效
| 申请号: | 201310282971.5 | 申请日: | 2013-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN104152862B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
| 发明(设计)人: | 金文焕;金东熙;李一中;刘芳钰 | 申请(专利权)人: | 世界中心科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04 |
| 代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中国台湾台中县梧*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种用于光电半导体工艺的沉积设备,其包含一加热器,具有一第一承载面和设置于所述第一承载面外周围的一第二承载面,所述第一承载面用于支撑一玻璃基板;以及一遮覆框,设置于所述加热器的第二承载面上,所述遮覆框具有围绕中空区域而形成的一框形本体,所述玻璃基板放置于所述框形本体所围绕的区域内,其中所述遮覆框的内框周面最外侧缘与所述加热器的第一承载面侧缘基本上切齐。本发明可增加玻璃基板有效的成膜范围。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 光电 半导体 工艺 沉积 设备 及其 遮覆框 | ||
【主权项】:
一种用于光电半导体工艺的沉积设备,其特征在于,所述沉积设备包含:一加热器,具有一第一承载面和设置于所述第一承载面外周围的一第二承载面,所述第一承载面用于支撑一玻璃基板;以及一遮覆框,设置于所述加热器的第二承载面上,所述遮覆框具有围绕中空区域而形成的一框形本体,所述玻璃基板放置于所述框形本体所围绕的区域内,其中所述遮覆框的内框周面最外侧缘与所述加热器的第一承载面侧缘切齐;所述遮覆框具有一填充件,所述填充件与所述遮覆框的框形本体固定接合,所述填充件用以填充所述框形本体与所述加热器第一承载面侧缘之间的空隙。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





