[发明专利]一种直立式电容结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310280532.0 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103346148A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 丁英涛;高巍;王士伟;陈倩文 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直立式电容结构及其制作方法，属于微电子无源器件技术领域。其结构具体包括：位于晶圆衬底内的深沟结构、依次淀积于深沟内侧壁的绝缘层和导电层、以及填充于导电层之间的介电层。绝缘层、导电层、介电层与深沟等高。采用基于垂直衬底方向上扩展电容面积的原理，利用垂直方向的电极板面积，采用溅射，电镀等工艺制作金属电极板，极板采用金属等低电阻率材质。结合硅通孔技术，实现大深宽比的直立式电容；结合衬底背部减薄技术，该直立电容结构贯穿衬底，能用作多层芯片间的高频通道；可大大节省版图面积，提高集成电路集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立式 电容 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种直立式电容结构，其特征在于：包括垂直内嵌于晶圆衬底内、自上而下贯通晶圆衬底的深沟结构、依次淀积于深沟内侧壁的绝缘层和导电层、以及填充于导电层之间的介电层；绝缘层、导电层、介电层与深沟等高； 所述深沟结构还能为两个平行的矩形条，或者两个平行的多边形条。
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