[发明专利]一种直立式电容结构及其制作方法

权利要求书

1.一种直立式电容结构，其特征在于：包括垂直内嵌于晶圆衬底内、自上而下贯通晶圆衬底的深沟结构、依次淀积于深沟内侧壁的绝缘层和导电层、以及填充于导电层之间的介电层；绝缘层、导电层、介电层与深沟等高； 

所述深沟结构还能为两个平行的矩形条，或者两个平行的多边形条。 

2.根据权利要求1所述的一种直立式电容结构，其特征在于：所述深沟结构为环形或者平行的条形。 

3.根据权利要求1所述的一种直立式电容结构，其特征在于：所述的晶圆衬底材料为硅晶圆、玻璃晶圆、蓝宝石晶圆、砷化镓、有机晶圆中的一种。 

4.根据权利要求1所述的一种直立式电容结构，其特征在于：所述绝缘层的材料为二氧化硅、氧化铝、氮氧化硅、氮化硅、高分子聚合物中的一种。 

5.根据权利要求1所述的一种直立式电容结构，其特征在于：所述导电层材料为铜、铝、铁、镍、钛、钨、铂、金、银、钛、钯、钽、多晶硅、硅化钛、硅化钨、硅化钼、硅化铂和硅化钴中的一种。 

6.根据权利要求1所述的一种直立式电容结构，其特征在于：所述介电层材料为氮化硅、二氧化硅、氧化钽、氧化钛、氧化锌、锆钛酸铅、钛酸钡锶、高分子聚合物的一种；其中，高分子聚合物为苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚乙烯、聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、环氧树脂中的一种。 

7.根据权利要求1所述的一种直立式电容结构，其特征在于：深沟高度越高，深沟内侧壁表面积越大，电容值越大；介电层介电质材料的厚度越小，介电常数越大，电容值越大。 

8.根据权利要求1所述的一种直立式电容结构的制作方法，其特征在于：包括如下步骤： 

步骤1，采用深反应离子刻蚀技术，在晶圆衬底上制作垂直于衬底底面的深沟结构； 

步骤2，在深沟结构内侧壁及晶圆衬底上表面淀积绝缘层； 

步骤3，在绝缘层上淀积导电层； 

步骤4，在导电层形成的深沟中填充介电材料，形成介电层； 

步骤5，去除晶圆衬底上表面的介电层和导电层； 

步骤6，在晶圆衬底下表面进行减薄处理，直至裸露出导电层。 

9.根据权利要求1所述的一种直立式电容结构的制作方法，其特征在于：包括如下步骤： 

步骤1，在晶圆衬底上并排制作两个条形深沟结构； 

步骤2，在所述条形深沟结构内侧壁及晶圆衬底上表面淀积绝缘层； 

步骤3，在绝缘层之间的深沟中填满导电材料，形成两个条形导电层； 

步骤4，通过刻蚀手段，将所述两个条形导电层之间的晶圆衬底及绝缘层去掉，形成一条直立的、与导电层等高的深沟结构； 

步骤5，在步骤4形成的深沟结构内填充介电材料，形成介电层； 

步骤6，在晶圆衬底背部进行减薄处理，直至裸露出导电层。 

10.根据权利要求2所述的一种直立式电容结构，其特征在于：所述环形包括回形环、圆形环和多边形环；所述条形包括矩形条和多边形条。