[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中所述鳍式场效应晶体管包括基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部具有第一掺杂；覆盖所述鳍部侧壁上部和上表面的沟道区材料层，所述沟道区材料层没有掺杂；或者，所述沟道区材料层具有第二掺杂，所述第二掺杂与所述第一掺杂类型相同，且第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；横跨所述鳍部的栅极。本发明提供的鳍式场效应晶体管能够有效调节驱动电流和减小漏电流，且能有效扩散所述鳍式场效应晶体管中产生的热量。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成具有第一掺杂的鳍部；在所述鳍部侧壁上部和上表面形成没有掺杂的沟道区材料层；或者，在所述鳍部侧壁上部和上表面形成具有第二掺杂的沟道区材料层，所述第二掺杂与所述第一掺杂类型相同，且第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度；形成沟道区材料层后，形成横跨所述鳍部的栅极；在所述鳍部的上表面和侧壁，以及所述基底的上表面形成第二介质层；在所述鳍部周围的所述第二介质层上形成第一介质层；去除未被所述第一介质层覆盖的所述第二介质层，露出所述鳍部的上表面和上部侧壁；在露出的所述鳍部的上表面和侧壁形成所述沟道区材料层，并去除所述第一介质层。