[发明专利]测试结构及测试方法、对应的晶圆、熔丝的激光切割方法有效

专利信息
申请号: 201310277119.9 申请日: 2013-07-03
公开(公告)号: CN104282659B 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 徐俊 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;G01B7/34;H01L21/768;H01L21/66
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种测试结构及测试方法、对应的晶圆、熔丝的激光切割方法,所述测试结构包括第一测试端、第二测试端;位于第一测试端和第二测试端之间相连接的若干测试单元,所述测试单元均匀分布在整个晶圆表面,所述测试单元至少包括两个测试熔丝,所述测试熔丝都相同且所述测试熔丝与晶圆芯片区域的工作熔丝相同。先对测试熔丝进行切割测试,当晶圆的背面或承片台表面具有凸起物,就会出现测试熔丝未完全切断或发生误切割的情况,表明晶圆的表面不平整,对所述晶圆的背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物后,再利用激光切割芯片区域的工作熔丝,从而保证工作熔丝被激光完全切断,节省了工艺成本,能有效提高工作熔丝切割的成品率。
搜索关键词: 测试 结构 方法 对应 激光 切割
【主权项】:
一种测试结构,其特征在于,包括:第一测试端、第二测试端;位于第一测试端和第二测试端之间串联连接的若干测试单元,每个测试单元包括至少两个并联连接的测试熔丝,所述测试单元均匀分布在整个晶圆表面,所述测试熔丝都相同且所述测试熔丝与晶圆芯片区域的工作熔丝相同;对至少一个测试单元中的至少一条测试熔丝进行激光切割,并测试第一测试端和第二测试端之间的测试结构的电阻变化,根据所述测试结构的电阻变化判断晶圆的表面是否平整。
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