[发明专利]测试结构及测试方法、对应的晶圆、熔丝的激光切割方法

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

第一测试端、第二测试端；

位于第一测试端和第二测试端之间串联连接的若干测试单元，每个测试单元包括至少两个并联连接的测试熔丝，所述测试单元均匀分布在整个晶圆表面，所述测试熔丝都相同且所述测试熔丝与晶圆芯片区域的工作熔丝相同；

对至少一个测试单元中的至少一条测试熔丝进行激光切割，并测试第一测试端和第二测试端之间的测试结构的电阻变化，根据所述测试结构的电阻变化判断晶圆的表面是否平整。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，位于同一个测试单元内的不同测试熔丝平行设置且不同测试熔丝之间的间距相同。

3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述间距为芯片设计中相邻两个工作熔丝之间的最小间距。

4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试单元位于晶圆的芯片区域或晶圆的切割道区域。

5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，每X²个呈正方形排列的芯片区域对应一个测试单元，X为正整数。

6.一种晶圆，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1所述的测试结构。

7.如权利要求6所述的晶圆，其特征在于，当所述晶圆具有至少两个相同的测试结构时，所述不同测试结构中的每一个测试单元都一一对应且相邻设置。

8.一种测试方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1所述的测试结构；

对所述测试结构的测试单元中的至少一条测试熔丝进行激光切割；

对所述测试结构的电阻值、电流值进行测试；

根据所述测试结构的电阻值、电流值判断相应的测试熔丝是否被完全切断或是否发生了误切割，从而判断晶圆的表面是否平整，相同的激光是否能将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断。

9.如权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述测试单元包括至少两个并联连接的测试熔丝，且位于第一测试端和第二测试端之间的若干测试单元串联连接时，对所述测试单元的至少一条测试熔丝进行激光切割后，对所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值进行测试，判断被激光切割后的测试熔丝是否完全切断。

10.如权利要求9所述的测试方法，其特征在于，若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻值为KR_f/(M-L)+(N-K)R_f/M，则表明所述被激光切割后的测试熔丝完全切断；若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻值不为KR_f/(M-L)+(N-K)R_f/M，则表明至少部分被激光切割后的测试熔丝尚未完全切断或发生了误切割；当所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值大于KR_f/(M-L)+(N-K)R_f/M，这表明发生了误切割，其中，N为测试单元的总个数，K为已进行激光切割的测试单元的个数且K≤N，R_f为未进行激光切割时测得的测试熔丝的电阻，M为一个测试单元中测试熔丝的总条数且M≥2，L为一个测试单元中被激光切割的测试熔丝的条数且L＜M。

11.如权利要求9所述的测试方法，其特征在于，依次对每一个测试单元的至少一条测试熔丝进行激光切割，且当一个测试单元的测试熔丝进行激光切割后，即对所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值进行测试，若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻值不为KR_f/(M-L)+(N-K)R_f/M，则表明对应的测试熔丝未完全切断或发生了误切割；若所述第一测试端和第二测试端之间测得的总电阻为KR_f(M-L)+(N-K)R_f/M，继续重复进行激光切割熔丝和对第一测试端和第二测试端之间电阻值的测试的步骤，直到所述第一测试端和第二测试端之间测得的总电阻不为KR_f/(M-L)+(N-K)R_f/M，则表明对应测试熔丝未完全切断或发生了误切割。