[发明专利]用于包络检测器的AB类射频放大器在审
申请号: | 201310270334.6 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103684283A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 阿米尔·哈吉-阿卜杜勒哈米德;邱雁琳 | 申请(专利权)人: | 美国博通公司 |
主分类号: | H03F3/189 | 分类号: | H03F3/189 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 田喜庆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了用于包络检测器的AB类射频放大器,该包络检测器(ED)包括电压模式ED芯,该电压模式ED芯包括用于检测射频(RF)信号输入的电压包络的并行检测晶体管,RF信号输入包括无线电(比如蜂窝发射器(TX))的输出。ED进一步包括串联定位在TX输出与ED芯之间的增益级中以提供包络检测器的总线性电压范围的多个电压放大器。多个电压放大器的末级电压放大器驱动ED芯并包括被配置为在ED芯的全线性电压范围内操作的AB类RF放大器。 | ||
搜索关键词: | 用于 包络 检测器 ab 射频放大器 | ||
【主权项】:
一种AB类电压放大器,包括:互补的第一晶体管和第二晶体管,用于在互连的漏极中提供负射频(RF)输出;互补的第三晶体管和第四晶体管,用于在互连的漏极中提供正射频输出;其中,所述正射频输入与所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极耦合,并且所述负射频输入与所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极耦合;第五晶体管,用于向所述第一晶体管和所述第三晶体管提供正偏置电压;第六晶体管,用于向所述第二晶体管和所述第四晶体管提供负偏置电压;以及反馈电路,连接至所述第五晶体管和所述第六晶体管以及所述差分正射频输出和所述差分负射频输出,所述反馈电路被配置为将所述差分正射频输出和所述差分负射频输出的公共电压设为大约电源(Vdd)电压的二分之一,使得所述差分正射频输出和所述差分负射频输出在与电源电压大致一样大的范围内摆动,以在所述包络检测器(ED)芯的全线性范围内驱动所述包络检测器芯。
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