[发明专利]用于包络检测器的AB类射频放大器

权利要求书

1.一种AB类电压放大器，包括：

互补的第一晶体管和第二晶体管，用于在互连的漏极中提供负射频（RF）输出；

互补的第三晶体管和第四晶体管，用于在互连的漏极中提供正射频输出；

其中，所述正射频输入与所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极耦合，并且所述负射频输入与所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极耦合；

第五晶体管，用于向所述第一晶体管和所述第三晶体管提供正偏置电压；

第六晶体管，用于向所述第二晶体管和所述第四晶体管提供负偏置电压；以及

反馈电路，连接至所述第五晶体管和所述第六晶体管以及所述差分正射频输出和所述差分负射频输出，所述反馈电路被配置为将所述差分正射频输出和所述差分负射频输出的公共电压设为大约电源（Vdd）电压的二分之一，使得所述差分正射频输出和所述差分负射频输出在与电源电压大致一样大的范围内摆动，以在所述包络检测器（ED）芯的全线性范围内驱动所述包络检测器芯。

2.根据权利要求1所述的AB类放大器，其中，所述第一晶体管和所述第三晶体管包括p型晶体管，并且所述第二晶体管和所述第四晶体管包括n型晶体管。

3.根据权利要求1所述的AB类放大器，其中，所述第五晶体管包括连接至所述电源的p型晶体管，并且所述第六晶体管包括接地连接的n型晶体管，其中，所述反馈电路包括：

彼此串联连接以将偏置电流提供给所述第五晶体管的第七晶体管和第八晶体管，所述偏置电流调整所述正偏置电压；

与所述第六晶体管互补并具有互连的漏极的第九晶体管，其中，所述负偏置电压由所述第六晶体管的所述漏极生成；

具有通过第一阻抗互连的漏极的互补的第十晶体管和第十一晶体管，其中，所述第十一晶体管的漏极驱动所述第七晶体管的栅极，并且所述第十晶体管的漏极驱动所述第八晶体管的栅极，以调整所述第五晶体管的所述偏置电流；

其中，所述第九晶体管的源极和所述第十一晶体管的源极互连，并且所述第六晶体管的源极和所述第十晶体管的源极互连；以及

其中，由所述正射频输出和所述负射频输出的组合产生的直流电压（DC）输出驱动所述第十一晶体管的栅极。

4.根据权利要求3所述的AB类放大器，其中，所述第六晶体管的所述源极和所述第十晶体管的所述源极接地，并且其中，所述反馈电路进一步包括：

连接在所述电源与所述第九晶体管的所述源极和所述第十一晶体管的所述源极之间的第十二晶体管，所述第十二晶体管被配置为被外部偏压，使得流过所述第六晶体管和所述第九晶体管的电流与流过所述第十晶体管和所述第十一晶体管的电流相加得出通过所述第十二晶体管的大致恒定的总电流。

5.根据权利要求3所述的AB类放大器，其中，所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第十晶体管中的每一个的所述栅极和所述漏极均互连，并且所述反馈电路进一步包括所述第六晶体管的漏极和所述第九晶体管的漏极之间的第二阻抗。

6.根据权利要求3所述的AB类放大器，其中，所述反馈电路进一步包括：

连接在所述电源与所述第九晶体管的栅极之间的第二阻抗；以及

连接在所述第二阻抗与负电源（Vss）之间连接的第三阻抗，所述第三阻抗的电阻与所述第二阻抗的电阻大致相等，由此充当电源电压的分压器，以传送Vdd–Vss的二分之一作为所述反馈电路的参考电压。

7.一种用于包络检测器的AB类电压放大器的反馈电路，包括：

第一晶体管，用于提供正偏置电压以驱动所述AB类电压放大器的第一对差分晶体管；

第二晶体管和第三晶体管，彼此串联连接以将偏置电流提供给所述第一晶体管，所述偏置电流调整所述正偏置电压；以及

具有通过第一阻抗互连的漏极的互补的第四晶体管和第五晶体管，其中，所述第五晶体管的所述漏极被配置为生成负偏置电压以驱动所述AB类电压放大器的第二对差分晶体管，并且其中，所述第四晶体管的栅极利用正负电源（Vdd和Vss）之间的分压器的输出（Cmref）进行控制。

8.根据权利要求7所述的反馈电路，其中，所述第一对差分晶体管包括p型晶体管。

9.根据权利要求8所述的反馈电路，其中，所述第二对差分晶体管包括n型晶体管。

10.根据权利要求7所述的反馈电路，还包括：

具有通过第二阻抗互连的互补的第六晶体管和第七晶体管，其中，所述第六晶体管的漏极驱动所述第二晶体管的栅极，并且所述第七晶体管的漏极驱动所述第三晶体管的栅极，以调整所述第一晶体管的所述偏置电流；

其中，所述第四晶体管的源极和所述第六晶体管的源极互连，且所述第五晶体管的源极和所述第七晶体管的源极互连；并且

其中，由所述AB类电压放大器的正负射频输出的组合产生的直流电压（DC）输出驱动所述第六晶体管的栅极。