[发明专利]薄膜晶体管像素结构以及亮点修复方法无效
| 申请号： | 201310268691.9 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103309104A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 胡海琛;郤玉生;王明超 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管像素结构以及亮点修复方法，涉及液晶显示领域，提高了亮点缺陷修复的成功率，使得亮点缺陷修复效果更好。本发明实施例的薄膜晶体管像素结构，薄膜晶体管像素结构包括栅电极层、像素电极层以及位于两者之间的第一绝缘层，薄膜晶体管像素结构还包括设置在像素电极层与第一绝缘层之间的第一导电层，第一导电层与像素电极层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 像素 结构 以及 亮点 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管像素结构，所述薄膜晶体管像素结构包括栅电极层、像素电极层以及位于两者之间的第一绝缘层，其特征在于，所述薄膜晶体管像素结构还包括设置在所述像素电极层与所述第一绝缘层之间的第一导电层，所述第一导电层与所述像素电极层电连接。
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