[发明专利]高导高损NiCuZn铁氧体材料、磁片及制备方法无效
| 申请号： | 201310265002.9 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103382106A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 梁迪飞;杨宏伟;张先智;张楠;陈良;谢建良;邓龙江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;H01F1/36;H01F41/02 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 高导高损NiCuZn铁氧体材料、磁片及制备方法，涉及电子材料技术。本发明的铁氧体材料包括主成分和掺杂成分，其特征在于，主成分配方和掺杂成分皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主成分配方为：Fe2O350mol%～52mol%，ZnO18mol%～29mol%，NiO18mol%～28mol%，CuO2.5mol%～6mol%；以质量百分比计算，掺杂成分为：Co2O30～0.6wt%。本发明通过工艺简单、无污染且适于大批量生产的氧化物烧结工艺制备了具有高磁导率、高损耗的铁氧体材料、铁氧体磁片。 | ||
| 搜索关键词： | 高导高损 nicuzn 铁氧体 材料 磁片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.高导高损NiCuZn铁氧体材料，包括主成分和掺杂成分，其特征在于，主成分配方和掺杂成分皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主成分配方为：![]()
以质量百分比计算，掺杂成分为：Co2O3 0～0.6wt%。
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