[发明专利]一种基体表面纳米复合Me-Si-N超硬涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310264796.7 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN103382548A 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: 汪爱英;王振玉;张栋;柯培玲 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 陈英俊
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种纳米复合Me-Si-N(Me=Ti、Cr、Zr、W等)超硬涂层的制备方法,该方法利用高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)技术,通过优化工艺参数,反应磁控溅射制备Me-Si-N纳米复合超硬涂层。与现有制备技术相比,该技术能够获得高硬度并且低表面粗糙度的Me-Si-N纳米复合涂层,是一种具有良好应用前景的制备技术。
搜索关键词: 一种 基体 表面 纳米 复合 me si 涂层 制备 方法
【主权项】:
一种基体表面纳米复合Me‑Si‑N超硬涂层的制备方法,其特征是:采用高功率脉冲磁控溅射技术,具体过程为:把清洗烘干后的基体放入真空腔体中,通入Ar气,向基体施加脉冲负偏压,对基体进行刻蚀;刻蚀结束后,开启高功率脉冲磁控溅射源,溅射MeSi复合靶材沉积MeSi过渡层;然后,保持溅射条件不变,向腔体内通入N2气体,反应沉积Me‑Si‑N纳米复合超硬涂层;所述的MeSi过渡层和Me‑Si‑N纳米复合超硬涂层的沉积过程中,高功率脉冲磁控溅射电源为直流电源与脉冲电源并联的模式;所述的Me‑Si‑N纳米复合超硬涂层的沉积过程中,直流电流为1A~5A,脉冲电压为400V~2000V,脉冲频率为30Hz~500Hz,脉冲宽度为20μs~1000μs。
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