[发明专利]改善栅氧有源区缺陷的方法有效
| 申请号： | 201310264408.5 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103346076A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 顾梅梅;侯多源;陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善栅氧有源区缺陷的方法。在衬底上生长栅氧化层；在栅氧化层上淀积多晶硅层；进行N型多晶硅栅预掺杂；在多晶硅层上形成包括PEOX层和O3TEOS层的叠层的多晶硅栅掩模层；在多晶硅栅掩模层上形成抗反射层；在抗反射层上形成光刻胶，并利用光刻胶刻蚀多晶硅层以形成多晶硅栅。本发明提供了一种能够在多晶硅栅结构的制作过程中防止有源区产生缺陷的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 有源 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种改善栅氧有源区缺陷的方法，其特征在于包括：在衬底上生长栅氧化层；在栅氧化层上淀积多晶硅层；进行N型多晶硅栅预掺杂；在多晶硅层上形成包括PEOX层和O3TEOS层的叠层的多晶硅栅掩模层；在多晶硅栅掩模层上形成抗反射层；在抗反射层上形成光刻胶，并利用光刻胶刻蚀多晶硅层以形成多晶硅栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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