[发明专利]改善栅氧有源区缺陷的方法有效
| 申请号： | 201310264408.5 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103346076A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 顾梅梅;侯多源;陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 有源 缺陷 方法 | ||
1.一种改善栅氧有源区缺陷的方法，其特征在于包括：
在衬底上生长栅氧化层；
在栅氧化层上淀积多晶硅层；
进行N型多晶硅栅预掺杂；
在多晶硅层上形成包括PEOX层和O3TEOS层的叠层的多晶硅栅掩模层；
在多晶硅栅掩模层上形成抗反射层；
在抗反射层上形成光刻胶，并利用光刻胶刻蚀多晶硅层以形成多晶硅栅。
2.根据权利要求1所述的改善栅氧有源区缺陷的方法，其特征在于，第五步骤包括：在第一工艺气压条件下在多晶硅层上沉积第一厚度的PEOX层，以及在第二工艺气压条件下在PEOX层上沉积第二厚度的O3TEOS层。
3.根据权利要求1或2所述的改善栅氧有源区缺陷的方法，其特征在于，第一工艺气压条件为4～5Torr。
4.根据权利要求1或2所述的改善栅氧有源区缺陷的方法，其特征在于，第二工艺气压条件为30Torr～60Torr。
5.根据权利要求1或2所述的改善栅氧有源区缺陷的方法，其特征在于，，第二工艺气压条件40Torr～50Torr。
6.根据权利要求1或2所述的改善栅氧有源区缺陷的方法，其特征在于，第二工艺气压条件为45Torr。
7.根据权利要求1或2所述的改善栅氧有源区缺陷的方法，其特征在于，在第五步骤中，PEOX层的第一厚度和O3TEOS层的第二厚度均介于至之间，同时PEOX层41的第一厚度和O3TEOS层42的第二厚度之和介于至之间。
8.根据权利要求1或2所述的改善栅氧有源区缺陷的方法，其特征在于，PEOX层41的第一厚度和O3TEOS层42的第二厚度之和为
9.根据权利要求1或2所述的改善栅氧有源区缺陷的方法，其特征在于，PEOX层的第一厚度为并且O3TEOS层的第二厚度为
10.根据权利要求1或2所述的改善栅氧有源区缺陷的方法，其特征在于还包括：在N型多晶硅栅预掺杂之后进行N型多晶硅栅预掺杂退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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