[发明专利]过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板有效
申请号: | 201310264196.0 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103354206B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 李田生;谢振宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/48;H01L21/84;H01L23/498;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种显示面板过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板,以解决现有显示面板在不同膜层之间形成过孔时,不能满足坡度角与选择比自由设置的问题。本发明中形成过孔时,根据所需坡度角的大小,采用第一刻蚀条件对电路图案上方需要生成过孔的区域中位于顶层的膜层进行刻蚀;根据所需选择比,采用第二刻蚀条件对需要生成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀,形成最终的过孔,避免一步法刻蚀中坡度角与选择比不能自由设置的问题。 | ||
搜索关键词: | 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种过孔制作方法,其特征在于,包括下述步骤:根据所需坡度角的大小采用第一刻蚀条件进行刻蚀时,采用以物理性刻蚀为主的活性等离子体刻蚀方法,对电路图案上方需要生成过孔的区域中的钝化层进行部分刻蚀,使采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成有预设坡度角;根据所需选择比采用第二刻蚀条件进行刻蚀时,采用以化学性刻蚀为主的活性等离子体刻蚀方法,对采用第一次刻蚀条件刻蚀后剩余的钝化层以及栅极绝缘层进行刻蚀,形成最终的过孔;其中,采用第二刻蚀条件进行刻蚀的部分与采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成的坡度角不同;所述选择比为栅极绝缘层的刻蚀速率/金属层的刻蚀速率;所述金属层包括数据线电路图案、源电极电路图案或漏电极电路图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造