[发明专利]过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板有效
申请号: | 201310264196.0 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103354206B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 李田生;谢振宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/48;H01L21/84;H01L23/498;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作方法 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术,尤其涉及一种过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板。
背景技术
显示面板制作工艺中,过孔工艺是一项很重要的工艺,通过过孔,能够实现位于不同层级电路图案的电连接。例如一种典型的阵列基板结构是:栅极线上覆盖有栅极绝缘层;有源层、数据线、源电极和漏电极等金属层形成在栅极绝缘层上,且覆盖一钝化层;漏电极上方的钝化层中形成漏电极过孔,以便像素电极通过漏电极过孔与漏电极电连接;在栅极线和数据线上方分别形成栅接口过孔和数据接口过孔,以便将栅极线和数据线露出来连接驱动线路。
漏电极过孔和数据接口过孔是刻蚀钝化层而形成的,栅接口过孔是刻蚀钝化层和栅极绝缘层而形成的,现有技术中漏电极过孔、数据接口过孔以及栅接口过孔一般采用一次刻蚀形成。然而不同膜层之间的刻蚀速率往往不一样,不同膜层刻蚀速率的比值定义为选择比,当刻蚀形成漏电极过孔和数据接口过孔后,进行栅极绝缘层刻蚀形成栅接口过孔时,对形成漏电极和数据线的金属层也会进行刻蚀,此时我们定义选择比为栅极绝缘层的刻蚀速率/金属层的刻蚀速率,则选择比越大越好,这样在刻蚀掉钝化层后继续进行栅极绝缘层刻蚀时,对金属层的损伤较小。
进一步的,窄边框趋势已经成为目前液晶显示面板的一个重要发展方向,而相对较窄的面板设计首先就要考虑原有设备的精密程度,如果设备不能满足,就要考虑工艺上是否能实现,而过孔的减小正是窄边框产品开发中最直接的优化工艺,因为一定线宽的条件下,过孔越小,布线就越精密,较小的过孔则需要较大的坡度角,但是较大的坡度角,就需要栅极绝缘层与金属层之间的选择比较小,然而一次刻蚀法因为刻蚀条件固定,不能根据所需坡度角与所需选择比灵活设置刻蚀条件,进而很难同时满足上述两种条件。
发明内容
本发明的目的是提供一种过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板,以解决现有显示面板在不同膜层之间形成过孔时,不能满足坡度角与选择比自由设置的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明一方面提供了一种显示面板过孔制作方法,包括下述步骤:
根据所需坡度角的大小,采用第一刻蚀条件对电路图案上方需要生成过孔的区域中位于顶层的膜层进行刻蚀,使采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成有预设坡度角;
根据所需选择比,采用第二刻蚀条件对需要生成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀,形成最终的过孔;
其中,采用第二刻蚀条件进行刻蚀的部分与采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成的坡度角不同。
本发明另一方面还提供了一种显示面板制作方法,包括下述步骤:
形成包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层;
形成栅极绝缘层;
形成有源层;
形成包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层;
在形成有上述各层的基板上形成钝化层;其中,栅极绝缘层形成于包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层与有源层以及包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层之间,所述显示面板制作方法还包括下述步骤:
根据形成漏电极过孔、栅接口过孔和数据接口过孔在所述钝化层上所需坡度角的大小,采用第一刻蚀条件对所述钝化层对应待形成漏电极过孔、栅接口过孔和数据接口过孔对应的区域进行刻蚀;
根据所述栅极绝缘层和所述包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层对应的刻蚀速率选择比或根据所述栅极绝缘层和包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层对应的刻蚀速率选择比,采用第二刻蚀条件对采用第一刻蚀条件刻蚀后剩余部分进行刻蚀,从而形成漏电极过孔、栅接口过孔和数据接口过孔;以及
沉积刻蚀电极层,实现相应电路图案之间的电连接。
本发明再一方面还提供了一种显示面板,该显示面板包括:电路图案层、位于所述电路图案层上方的膜层,以及在所述电路图案层上方的膜层中生成的用于导通电路图案的过孔,所述过孔采用上述方法生成。
较佳的,该显示面板包括:形成在基板上的电路图案和绝缘层,所述电路图案至少包括形成在不同层级的第一电路图案和第二电路图案,所述绝缘层至少包括依次形成于所述基板之上的第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一电路图案形成在所述第一绝缘层之下,所述第二电路图案形成在所述第一绝缘层之上、第二绝缘层之下,还包括分别根据所需坡度角而采用第一刻蚀条件和根据所需选择比采用第二刻蚀条件分步制作的第一过孔和第二过孔;
所述第一过孔位于所述第一电路图案上方,贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造