[发明专利]电迁移可靠性测试结构及其使用方法有效

专利信息
申请号: 201310261357.0 申请日: 2013-06-26
公开(公告)号: CN104253059B 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 郑雅文 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L23/544
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅,李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种电迁移可靠性测试结构及其使用方法,将所述第三检测结构的引出端连接于所述第一检测结构的检测端,那么在检测是否存在突起时,则可采用判断电势差是否有改变,而不必判断微小的漏电流,这能够大大的提高检测效率,避免了由于漏电流过小难以检测到的情况发生,此外,还可以减少一个焊垫,从而节省测试区域,有利于提高集成度。
搜索关键词: 迁移 可靠性 测试 结构 及其 使用方法
【主权项】:
一种电迁移可靠性测试结构,其特征在于,包括:横向排列且相对设置的第一检测结构和第二检测结构,所述第一检测结构和第二检测结构皆连接有电源端和检测端,所述第一检测结构和第二检测结构的电源端分别连接电源的阴极和阳极,所述第一检测结构和第二检测结构之间用于设置待检测部件;第三检测结构,所述第三检测结构为中空的矩形结构,其能够间隙围绕所述待检测部件且与所述待检测部件相独立,所述第三检测结构具有一引出端,所述引出端连接于所述第一检测结构的检测端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310261357.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top