[发明专利]测量晶圆电阻率的装置及方法有效
| 申请号： | 201310261115.1 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104251935B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;唐强;许亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种测量晶圆电阻率的装置及方法，所述装置包括，测量头盘、测量头、位移杆以及旋转马达；测量头设置于测量头盘的一面，测量头分第一组测量头和第二组测量头，第二组测量头的头部曲率半径比第一组测量头的头部曲率半径大；位移杆设置于测量头与测量头盘之间，旋转马达设置于测量头盘的另一面；在使用第一组测量头对待测晶圆表面的薄膜进行第一次测量之后对初次结果进行分析，若初次结果存在异常则说明第一组测量头扎穿了待测晶圆表面的薄膜，使用头部曲率半径更大的第二组测量头对待测晶圆进行第二次测量，不易扎穿述待测晶圆表面的薄膜，从而能够得到准确的测量结果。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 电阻率 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种测量晶圆电阻率的装置，包括：测量头盘；设置于所述测量头盘一面的测量头，所述测量头分第一组测量头和第二组测量头，其中，所述第二组测量头的头部曲率半径比第一组测量头的头部的曲率半径大；设置于所述测量头与所述测量头盘之间的位移杆，所述位移杆用来控制所述测量头的位置；设置于所述测量头盘另一面的旋转马达，用于旋转所述测量头盘。
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