[发明专利]测量晶圆电阻率的装置及方法有效
| 申请号： | 201310261115.1 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104251935B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;唐强;许亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量 电阻率 装置 方法 | ||
1.一种测量晶圆电阻率的装置，包括：
测量头盘；
设置于所述测量头盘一面的测量头，所述测量头分第一组测量头和第二组测量头，其中，所述第二组测量头的头部曲率半径比第一组测量头的头部的曲率半径大；
设置于所述测量头与所述测量头盘之间的位移杆，所述位移杆用来控制所述测量头的位置；
设置于所述测量头盘另一面的旋转马达，用于旋转所述测量头盘。
2.如权利要求1所述的测量晶圆电阻率的装置，其特征在于，所述第一组测量头的材质为钨钛合金。
3.如权利要求2所述的测量晶圆电阻率的装置，其特征在于，所述第一组测量头个数为2个。
4.如权利要求3所述的测量晶圆电阻率的装置，其特征在于，所述第一组测量头一个用于测量金属薄膜，另一个用于测量多晶硅层、自对准硅化物层以及扩散层。
5.如权利要求1所述的测量晶圆电阻率的装置，其特征在于，所述第二组测量头的材质为钨钛合金。
6.如权利要求5所述的测量晶圆电阻率的装置，其特征在于，所述第二组测量头个数为2个。
7.如权利要求6所述的测量晶圆电阻率的装置，其特征在于，所述第二组测量头一个用于测量金属薄膜，另一个用于测量多晶硅层、自对准硅化物层以及扩散层。
8.一种测量晶圆电阻率的方法，使用如权利要求1至7所述的任一种测量晶圆电阻率的装置，所述方法包括：
使用第一组测量头对待测晶圆表面的薄膜进行第一次测量，得到初次结果；
对所述初次结果进行分析，若所述初次结果准确则完成测量；若所述初次结果存在异常则使用第二组测量头对待测晶圆进行第二次测量。
9.如权利要求8所述的测量晶圆电阻率的方法，其特征在于，所述初次结果为0时，则说明初次结果存在异常。
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