[发明专利]一种超势垒整流器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超势垒整流器件，该整流器件保留了现有肖特基势垒整流器件的特点且具有MOS结构，并且在位于栅极下方的第一导电类型漂移区顶部设置第二导电类型浅注入区，在接正向电压时，该第二导电类型注入区并不影响电流的导通，从而不影响正向压降Vf，而当接反向电压时，该第二导电类型注入区可快速夹断电流，使Ir更小，反向恢复又快又软。另外本发明也提供一种制备该器件的方法，该方法工艺简单，制造成本低，工艺窗口大。

主权项

一种超势垒整流器件，在整流器件的截面上包括一半导体基板，该半导体基板的下部为重掺杂的第一导电类型衬底，半导体基板的上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区，所述半导体基板的上表面定义为第一表面，半导体基板的下表面定义为第二表面，其特征在于：所述第一表面间隔覆盖有若干个绝缘栅氧化层，每个绝缘栅氧化层上均覆盖有第一电极；所述第一表面未覆盖所述绝缘栅氧化层的区域设置若干个沟槽，该沟槽由第一表面延伸进入第一导电类型漂移区；所述第一导电类型漂移区在沟槽的侧沟沿处设有第一导电类型注入区，所述第一导电类型漂移区上部设有与沟槽数目对应且相互独立的第二导电类型注入区，每个第二导电类型注入区包裹一个沟槽以及对应的第一导电类型注入区；在所述第二导电类型注入区之间设有第二导电类型浅注入区，该第二导电类型浅注入区位于第一导电类型漂移区顶部与所述绝缘栅氧化层底部接触并与所述第二导电类型注入区连接，所述第一表面上及沟槽内设置有第一金属，第一金属与第一电极、第一表面均欧姆接触，所述第二表面上设置有与第二表面欧姆接触的第二金属。