[发明专利]一种超势垒整流器件及其制造方法

权利要求书

1.一种超势垒整流器件，在整流器件的截面上包括一半导体基板，该半导体基板的下部为重掺杂的第一导电类型衬底，半导体基板的上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区，所述半导体基板的上表面定义为第一表面，半导体基板的下表面定义为第二表面，其特征在于：所述第一表面间隔覆盖有若干个绝缘栅氧化层，每个绝缘栅氧化层上均覆盖有第一电极；所述第一表面未覆盖所述绝缘栅氧化层的区域设置若干个沟槽，该沟槽由第一表面延伸进入第一导电类型漂移区；所述第一导电类型漂移区在沟槽的侧沟沿处设有第一导电类型注入区，所述第一导电类型漂移区上部设有与沟槽数目对应且相互独立的第二导电类型注入区，每个第二导电类型注入区包裹一个沟槽以及对应的第一导电类型注入区；在所述第二导电类型注入区之间设有第二导电类型浅注入区，该第二导电类型浅注入区位于第一导电类型漂移区顶部与所述绝缘栅氧化层底部接触并与所述第二导电类型注入区连接，所述第一表面上及沟槽内设置有第一金属，第一金属与第一电极、第一表面均欧姆接触，所述第二表面上设置有与第二表面欧姆接触的第二金属。

2.如权利要求1所述的一种超势垒整流器件，其特征在于：所述第一导电类型注入区由注入横向扩散形成。

3.如权利要求2所述的一种超势垒整流器件，其特征在于：所述第二导电类型注入区和第二导电类型浅注入区的注入剂量小于第一导电类型注入区注入剂量至少一个数量级。

4.如权利要求3所述的一种超势垒整流器件，其特征在于：所述第一电极为导电多晶硅。

5.如权利要求4所述的一种超势垒整流器件，其特征在于：所述第一金属设有阳极端，所述第二金属设有阴极端。

6.一种制造权利要求1中超势垒整流器件的方法，其包括

a．提供具有两个相对表面的第一导电类型半导体基板，该第一导电类型半导体基板包括重掺杂的第一导电类型衬底和轻掺杂的第一导电类型漂移区，所述两个相对表面包括位于半导体基板上部的第一表面和半导体基板下部的第二表面；

b．在所述半导体基板的第一表面上形成绝缘栅氧化层；

c．在所述绝缘栅氧化层上形成第一电极；

d．在所述第一电极上覆盖光刻胶层；

e．选择性的刻蚀所述光刻胶形成间隔布置的光刻胶掩蔽体；

f．以e中形成的光刻胶掩蔽体为阻挡刻蚀第一电极和绝缘栅氧化层直至半导体基板的第一表面；

g．以光刻胶掩蔽体为阻挡注入第一导电类型杂质形成第一导电类型注入区，该第一导电类型注入区两侧横向扩散到绝缘栅氧化层下；

h．以光刻胶掩蔽体为阻挡刻蚀沟槽，该沟槽纵向贯穿第一导电类型注入区直至第一导电类型漂移区内；

i.以光刻胶掩蔽体为阻挡注入第二导电类型杂质后形成第二导电类型注入区，该第二导电类型注入区包裹沟槽和第一导电类型注入区；

j．去除光刻胶掩蔽体；

k．于所述半导体基板的第一表面注入第二导电类型杂质在绝缘栅氧化层下形成第二导电类型浅注入区；

l．于所述半导体基板的第一表面淀积第一金属；

m．于所述半导体基板的第二表面淀积第二金属。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于：步骤b中绝缘栅氧化层的形成方式为热生长形成。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述步骤c中的第一电极为淀积形成。