[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法在审
| 申请号： | 201310259080.8 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104253186A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括：基板；形成在基板上的第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以及石墨烯层；依次形成在第一导电层上的P型氮化铝铟镓层、发光结构层、N型氮化铝铟镓层；以及第二导电层，形成在N型氮化铝铟镓层上。由于石墨烯层的电阻率较低，其将会降低发光二极管晶粒的内阻及改善其发光效率。本发明还提供了一种发光二极管晶粒的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，包括：基板；形成在基板上的第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以及石墨烯层；依次形成在第一导电层上的P型氮化铝铟镓层、发光结构层、N型氮化铝铟镓层；以及第二导电层，形成在N型氮化铝铟镓层上。
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