[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管晶粒，包括：

基板；

形成在基板上的第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以及石墨烯层；

依次形成在第一导电层上的P型氮化铝铟镓层、发光结构层、N型氮化铝铟镓层；以及

第二导电层，形成在N型氮化铝铟镓层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述第二导电层为交替层叠的N型氮化铝铟镓层以及石墨烯层。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述石墨烯层为单原子层堆叠结构或者多原子层堆叠结构。

4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述发光二极管晶粒包括第一电极和第二电极，第一电极与第一导电层电连接，第二电极与第二导电层电连接。

5.如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述基板为导电基板，第一电极形成在导电基板的与第一导电层相反的表面，第二电极直接形成在第二导电层的表面。

6.如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述发光二极管晶粒形成有蚀刻平台，所述蚀刻平台从第二导电层延伸至第一导电层以暴露出第一导电层的部分表面，所述第一电极设置在蚀刻平台上且与第一导电层相接触，第二电极设置在第二导电层的表面。

7.一种发光二极管晶粒制造方法，包括：

提供一临时基板；

在临时基板上形成低温氮化铝铟镓牺牲层、第二导电层、N型氮化铝铟镓层、发光结构层、P型氮化铝铟镓层以及第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以及石墨烯层；

去除低温氮化铝铟镓牺牲层以将第二导电层与临时基板分离；

将一导电基板粘结至第一导电层；以及

在导电基板与第一导电层相反的表面制作第一电极，在第二导电层的表面制作第二电极。

8.如权利要求7所述的发光二极管晶粒制造方法，其特征在于，所述第二导电层为交替层叠的N型氮化铝铟镓层以及石墨烯层。

9.一种发光二极管晶粒制造方法，包括：

提供一临时基板；

在临时基板上形成低温氮化铝铟镓牺牲层、第二导电层、N型氮化铝铟镓层、发光结构层、P型氮化铝铟镓层以及第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以及石墨烯层；

去除低温氮化铝铟镓牺牲层以将第二导电层与临时基板分离；

制作一蚀刻平台，该蚀刻平台从第二导电层延伸至第一导电层以暴露出第一导电层的部分表面；以及

在暴露的第一导电层的表面制作第一电极，在第二导电层的表面制作第二电极。

10.如权利要求9所述的发光二极管晶粒制造方法，其特征在于，所述第二导电层为交替层叠的N型氮化铝铟镓层以及石墨烯层。