[发明专利]半导体元件无效
| 申请号： | 201310258437.0 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103346165A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈信学;陈勃学 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包括基板、栅极、绝缘层、源极、漏极、半导体通道层、第一保护层以及第二保护层。栅极配置于基板上。绝缘层覆盖栅极。源极以及漏极位于绝缘层上。半导体通道层配置于绝缘层上，且半导体通道层桥接源极和漏极。第一保护层覆盖半导体通道层、源极以及漏极。第一保护层包含氧化硅。第二保护层配置于第一保护层上。第二保护层包含氮化硅，且第二保护层的氢浓度为约2.0×1022atom/cm3至约3.11×1022atom/cm3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一基板；一栅极，配置于该基板上；一绝缘层覆盖该栅极；一源极以及一漏极，位于该绝缘层上；一半导体通道层，配置于该绝缘层上，且该半导体通道层桥接该源极和该漏极；一第一保护层，覆盖该半导体通道层、该源极以及该漏极，且该第一保护层包含氧化硅；以及一第二保护层，配置于该第一保护层上，其中该第二保护层包含氮化硅，且该第二保护层的氢浓度为约2.0×1022atom/cm3至约3.11×1022atom/cm3。
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