[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基板；

一栅极，配置于该基板上；

一绝缘层覆盖该栅极；

一源极以及一漏极，位于该绝缘层上；

一半导体通道层，配置于该绝缘层上，且该半导体通道层桥接该源极和该漏极；

一第一保护层，覆盖该半导体通道层、该源极以及该漏极，且该第一保护层包含氧化硅；以及

一第二保护层，配置于该第一保护层上，其中该第二保护层包含氮化硅，且该第二保护层的氢浓度为约2.0×10²²atom/cm³至约3.11×10²²atom/cm³。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第二保护层的一厚度为约300埃(angstrom)至约700埃。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一保护层的一厚度为约1000埃至约3000埃。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，更包括一通道保护层，该通道保护层配置于该半导体通道层与该第一保护层之间，且该通道保护层于一垂直投影方向上与该半导体通道层重叠。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，该通道保护层的材料包含氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体通道层配置于该源极以及该漏极上，且该半导体通道层的一侧覆盖部分的该源极，该半导体通道层的另一侧覆盖部分的该漏极。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体通道层设置于该绝缘层以及该源极、该漏极之间，且部分的该源极覆盖该半导体通道层的一侧，部分的该漏极覆盖该半导体通道层的另一侧。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体通道层于一垂直投影方向上与该栅极重叠。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体通道层包含至少一金属氧化物的材料，是选自氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化锡(ZnO)、氧化镉·氧化锗(2CdO·GeO₂)、氧化镍钴(NiCo₂O₄)以及上述的组合所组成的群组。

10.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，更包括:

一平坦层，覆盖该第二保护层，其中该第一保护层、该第二保护层以及该平坦层分别具有一第一开口、一第二开口以及一第三开口，且该第一开口、该第二开口及该第三开口相互连通以暴露出该漏极；以及

一像素电极，位在部分的该平坦层上，且该像素电极通过该第一开口、该第二开口及该第三开口接触并电性连接于该漏极。