[发明专利]预防测试结构短路的保护环及其制造方法和封装测试方法有效
| 申请号: | 201310258225.2 | 申请日: | 2013-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN103337466A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
| 发明(设计)人: | 赵敏;尹彬锋;王炯 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/762;H01L23/528;H01L23/58 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提出一种预防测试结构短路的保护环及其制造方法和封装测试方法,保护环具有一隔离结构,隔离结构包括多个由下至上依次逐层连接的相同互联层,每一互联层中具有金属带状包围结构,金属带状包围结构为在一低K介质层中开槽、填充金属形成;三层上介质层,形成于隔离结构上,且三层上介质层中开有窗口;以及多个金属垫,形成于金属带状包围结构所包围的低K介质层中,且每个窗口对应一所述金属垫,以防止测试结构在切片封装或其他操作过程中水气进入,引起测试结构性能变差的问题,以及避免由于金属垫太小或操作误差使得金属连线球部分打到金属垫之外,造成金属连线球与保护环接触而引起的测试结构短路的问题。 | ||
| 搜索关键词: | 预防 测试 结构 短路 保护环 及其 制造 方法 封装 | ||
【主权项】:
一种预防测试结构短路的保护环,其特征在于,所述保护环包括:一隔离结构,所述隔离结构包括多个由下至上依次逐层连接的相同互联层,每一所述互联层中具有金属带状包围结构,所述金属带状包围结构为在一低K介质层中开槽、填充金属形成;三层上介质层,形成于所述隔离结构上,且所述三层上介质层中开有窗口;以及多个金属垫,形成于所述金属带状包围结构所包围的低K介质层中,且每个所述窗口对应一所述金属垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





