[发明专利]预防测试结构短路的保护环及其制造方法和封装测试方法有效
| 申请号： | 201310258225.2 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103337466A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 赵敏;尹彬锋;王炯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/762;H01L23/528;H01L23/58 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 预防 测试 结构 短路 保护环 及其 制造 方法 封装 | ||
1.一种预防测试结构短路的保护环，其特征在于，所述保护环包括：
一隔离结构，所述隔离结构包括多个由下至上依次逐层连接的相同互联层，每一所述互联层中具有金属带状包围结构，所述金属带状包围结构为在一低K介质层中开槽、填充金属形成；
三层上介质层，形成于所述隔离结构上，且所述三层上介质层中开有窗口；以及
多个金属垫，形成于所述金属带状包围结构所包围的低K介质层中，且每个所述窗口对应一所述金属垫。
2.根据权利要求1所述的预防测试结构短路的保护环，其特征在于，每层所述上介质层使用的材料与低K介质层使用的材料不相同。
3.根据权利要求2所述的预防测试结构短路的保护环，其特征在于，每层所述上介质层使用的材料为硅氧化物，且介电常数为4～4.2。
4.一种预防测试结构短路的保护环的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：形成一低K介质层，在所述低K介质层中开槽、填充金属形成有一金属带状包围结构的互联层；
步骤2：重复步骤1，形成多个由下至上依次逐层连接的所述互联层，从而形成一隔离结构，且在形成所述隔离结构的过程中，在所述金属带状包围结构所包围的低K介质层中形成多个金属垫；
步骤3：在所述隔离结构上形成三层上介质层，且在所述三层上介质层中开窗口，使每个所述窗口对应一所述金属垫。
5.根据权利要求4所述的预防测试结构短路的保护环的制造方法，其特征在于，每层所述上介质层使用的材料与低K介质层使用的材料不相同。
6.根据权利要求5所述的预防测试结构短路的保护环的制造方法，其特征在于，每层所述上介质层使用的材料为硅氧化物，且介电常数为4～4.2。
7.一种预防测试结构短路的封装测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
在晶片上形成如权利要求1所述的预防测试结构短路的保护环；
对晶片进行切割，以获得所述预防测试结构短路的保护环；
提供一陶瓷基座，所述陶瓷基座具有放置区域和陶瓷基座引脚，所述预防测试结构短路的保护环位于放置区域上；
在所述预防测试结构短路的保护环中的金属垫上打金属连线球；
在所述金属连线球上打金属线连接到陶瓷基座引脚上。
8.根据权利要求7所述的预防测试结构短路的封装测试方法，其特征在于，每层所述上介质层使用的材料与低K介质层使用的材料不相同。
9.根据权利要求8所述的预防测试结构短路的封装测试方法，其特征在于，每层所述上介质层使用的材料为硅氧化物，且介电常数为4～4.2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
