[发明专利]开关元件和器件、存储器件、及其制造方法无效
申请号: | 201310256116.7 | 申请日: | 2013-06-25 |
公开(公告)号: | CN103515533A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 李东洙;李明宰;郑佑仁 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C13/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及开关元件和器件、存储器件、及其制造方法。开关元件,包括:第一电极;第二电极;以及在所述第一电极和所述第二电极之间的含硅的硫属元素氮化物层。开关器件包括:在第一电极和第二电极之间的阈值开关材料层。所述阈值开关材料层包括金属元素、硫属元素、硅元素和氮元素。存储器件包括:彼此平行布置的多条第一布线;与所述第一布线交叉并且彼此平行布置的多条第二布线;和在所述多条第一布线和所述多条第二布线的各交叉点处形成的存储单元。所述存储单元包括具有含硅的硫属元素氮化物层、中间电极和存储层的叠层物。 | ||
搜索关键词: | 开关 元件 器件 存储 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
开关元件,包括:第一电极;第二电极;以及在所述第一电极和所述第二电极之间的含硅的硫属元素氮化物层。
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