[发明专利]开关元件和器件、存储器件、及其制造方法

权利要求书

1.开关元件，包括：

第一电极；

第二电极；以及

在所述第一电极和所述第二电极之间的含硅的硫属元素氮化物层。

2.权利要求1的开关元件，其中所述含硅的硫属元素氮化物层具有在其表面上形成的氮化物薄膜。

3.权利要求2的开关元件，其中所述氮化物薄膜包括SiN_x，其中0<x<2。

4.权利要求1的开关元件，其中所述含硅的硫属元素氮化物层包括：

硫属化物骨架；和

与所述硫属化物骨架结合的硅氮化物骨架。

5.权利要求4的开关元件，其中所述硫属化物骨架包括与硫属元素原子结合的金属原子。

6.权利要求5的开关元件，其中所述硅氮化物骨架包括与氮原子结合的硅原子。

7.权利要求6的开关元件，其中所述硅原子与所述硫属元素原子结合以使所述硫属化物骨架与所述硅氮化物骨架结合。

8.权利要求4的开关元件，其中所述硅氮化物骨架包括与氮原子结合的硅原子。

9.权利要求4的开关元件，其中所述硅氮化物骨架支撑所述硫属化物骨架。

10.权利要求1的开关元件，其中所述含硅的硫属元素氮化物层具有由式M_xA₁₀₀Si_yN_z表示的组成，其中0<x<3，0<y<2，0<z<2，其中M为银(Ag)、砷(As)、铋(Bi)、锗(Ge)、铟(In)、磷(P)、锑(Sb)和锡(Sn)的至少一种，和A为硫属元素的至少一种。

11.权利要求10的开关元件，其中A为碲(Te)、硒(Se)、硫(S)和钋(Po)的至少一种。

12.存储器件，包括：

彼此平行布置的多条第一布线；

与所述第一布线交叉并且彼此平行布置的多条第二布线；以及

在所述多条第一布线和所述多条第二布线的各交叉点处形成的存储单元，所述存储单元包括具有含硅的硫属元素氮化物层、中间电极和存储层的叠层物。

13.权利要求12的存储器件，其中所述含硅的硫属元素氮化物层具有在其表面上形成的氮化物薄膜。

14.权利要求12的存储器件，其中所述含硅的硫属元素氮化物层包括：

硫属化物骨架；和

与所述硫属化物骨架结合的硅氮化物骨架。

15.权利要求12的存储器件，其中所述含硅的硫属元素氮化物层具有由式M_xA₁₀₀Si_yN_z表示的组成，其中0<x<3，0<y<2，0<z<2，其中M为银(Ag)、砷(As)、铋(Bi)、锗(Ge)、铟(In)、磷(P)、锑(Sb)和锡(Sn)的至少一种，和其中A为碲(Te)、硒(Se)、硫(S)和钋(Po)的至少一种。

16.制造开关元件的方法，所述方法包括：

形成第一电极；

在所述第一电极上形成含硅的硫属元素氮化物层；和

在所述含硅的硫属元素氮化物层上形成第二电极。

17.权利要求16的方法，进一步包括：

在形成所述第二电极之前向所述含硅的硫属元素氮化物层施加氮气等离子体。

18.开关器件，包括：

在第一电极和第二电极之间的阈值开关材料层，所述阈值开关材料层包括金属元素、硫属元素、硅元素和氮元素。

19.权利要求18的开关器件，其中所述阈值开关材料层具有由式M_xA₁₀₀Si_yN_z表示的组成，其中0<x<3，0<y<2，0<z<2，其中M为银(Ag)、砷(As)、铋(Bi)、锗(Ge)、铟(In)、磷(P)、锑(Sb)和锡(Sn)的至少一种，和其中A为碲(Te)、硒(Se)、硫(S)和钋(Po)的至少一种。