[发明专利]保护浅沟槽隔离区的方法有效
| 申请号： | 201310253617.X | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN103337473A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 沈萍;马旭;曹亚民 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及高压集成电路领域，尤其涉及一种保护浅沟槽隔离区的方法。本发明公开了一种保护浅沟槽隔离区的方法，应用于高压集成电路的工艺，在制备高压器件和低压器件时，在生长高压器件的栅氧化物前，通过在低压器件区上制备氮化物作为STI的保护层，以避免STI在后续的湿法工艺形成凹陷缺陷，进而增大产品的良率，且该工艺步骤改动较少，与现有工艺流程兼容性强，容易实现对器件性能的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 沟槽 隔离 方法 | ||
【主权项】：
一种保护浅沟槽隔离区的方法，应用于兼容低压器件的高压器件的工艺中，其特征在于，包括以下步骤：提供一具有浅沟槽隔离结构的衬底，且该衬底上设置有高压器件区和低压器件区；制备一氮化物层覆盖所述衬底的上表面；去除位于所述高压器件区中所述氮化物层；继续部分去除位于所述低压器件区中剩余的氮化物层后，使得位于所述低压器件区中浅沟槽隔离结构的侧壁上覆盖有残余的氮化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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