[发明专利]保护浅沟槽隔离区的方法有效
| 申请号： | 201310253617.X | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN103337473A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 沈萍;马旭;曹亚民 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护 沟槽 隔离 方法 | ||
1.一种保护浅沟槽隔离区的方法，应用于兼容低压器件的高压器件的工艺中，其特征在于，包括以下步骤：
提供一具有浅沟槽隔离结构的衬底，且该衬底上设置有高压器件区和低压器件区；
制备一氮化物层覆盖所述衬底的上表面；
去除位于所述高压器件区中所述氮化物层；
继续部分去除位于所述低压器件区中剩余的氮化物层后，使得位于所述低压器件区中浅沟槽隔离结构的侧壁上覆盖有残余的氮化物层。
2.如权利要求1所述的保护浅沟槽隔离区的方法，其特征在于，还包括：
于一具有高压器件区和低压器件区的衬底上表面依次淀积氧化物层和牺牲氮化物层；
刻蚀所述牺牲氮化物层和所述氧化物层至所述衬底中，分别于所述高压器件区和所述低压器件区形成浅沟槽；
填充绝缘物充满所述浅沟槽后，平坦化工艺去除多余的绝缘物；
去除剩余牺牲氮化物层，于所述衬底中形成所述浅沟槽隔离结构。
3.如权利要求2所述的保护浅沟槽隔离区的方法，其特征在于，所述氮化物层覆盖剩余的所述氧化物层和暴露的所述浅沟槽隔离结构的表面。
4.如权利要求2所述的保护浅沟槽隔离区的方法，其特征在于，还包括：去除位于所述高压器件区中所述氮化物层后，采用酸液去除位于所述高压器件区中的氧化物层，并继续部分去除位于所述低压器件区中剩余的氮化物层工艺。
5.如权利要求1或2所述的保护浅沟槽隔离区的方法，其特征在于，采用SinGen方式制备所述氮化硅层。
6.如权利要求1所述的保护浅沟槽隔离区的方法，其特征在于，所述氮化硅物层的材质为氮化硅。
7.如权利要求1所述的保护浅沟槽隔离区的方法，其特征在于，所述氮化物层的厚度为
8.如权利要求1所述的保护浅沟槽隔离区的方法，其特征在于，还包括：
于所述低压器件区生长栅氧化物前的预清洗工艺中去除所述残余的氮化物层。
9.如权利要求8所述的保护浅沟槽隔离区的方法，其特征在于，采用HF加入超声波的方式去除所述残余的氮化物层。
10.如权利要求1所述的保护浅沟槽隔离区的方法，其特征在于，采用等离子体刻蚀工艺去除位于所述高压器件区中所述氮化物层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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