[发明专利]一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法

摘要

本发明提供一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法，包括以下几个步骤步骤A、将靶材装入溅射靶中，将基片洗净后放入基片架上，抽真空，使基片能随基片架在溅射靶材上方直线往复动态沉积，获得薄膜；步骤B、将所述基片加热，并于真空室内通入溅射气体，调节真空室压强。本发明可以通过磁控溅射法在硅基薄膜衬底上低温、低功率制备高质量的透明导电膜。

主权项

一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法，其特征在于，包括以下几个步骤：步骤（1）：把选用的质量分数2% Al2O3掺杂的ZnO陶瓷靶，尺寸为450×75mm，装与溅射靶中，将实验基片在丙酮溶液中利用超声波清洗仪清洗15min，再在无水乙醇中清洗15min，最后在去离子水中经超声波清洗20min后氮气吹干，将超声清洗过的基片迅速放入基片架上，抽真空至真空室本底真空度高于3.0×10‑3Pa；基片能随基片架在溅射靶材上方直线往复动态沉积，获得大于靶材尺寸的薄膜，经过靶材正上方往复频率为40秒/次；步骤（2）：给基片加热并保持至50℃，然后往真空室内通入100sccm氩气作为溅射气体，调节真空室压强为0.65Pa，掺铝氧化锌靶材对应的射频功率为600W。