[发明专利]一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法

权利要求书

1.一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法，其特征在于，包括以下几个步骤： 

步骤A、将靶材装入溅射靶中，将基片洗净后放入基片架上，抽真空，使基片能随基片架在溅射靶材上方直线往复动态沉积，获得薄膜；

步骤B、将所述基片加热，并于真空室内通入溅射气体，调节真空室压强。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B中，所述基片加热的温度为50℃。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溅射气体为氢气和氩气，其中，通入氩气的速度为100sccm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空室压强为0.65Pa。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，溅射靶材的射频功率为300W-1200W。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底采用硅基薄膜。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述靶材采用AZO陶瓷靶。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其特征在于，所述溅射气压为0.65Pa，温度为100℃-250℃。

9.如权利要求3所述的方法，其特征在于，氢气在所述溅射气体中的体积比0-6%。