[发明专利]带有覆盖式衬底的MEMS器件有效
| 申请号： | 201310245334.0 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104045047B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;朱家骅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种带有覆盖式衬底的MEMS器件，其包括设置在第一衬底上的介电层，该介电层具有形成在其中的牺牲凹部。该集成电路另外包括形成在介电层之上且悬置在牺牲凹部之上的膜层，以及与膜层相接合从而形成了第二凹部的覆盖式衬底，该第二凹部通过形成到膜层中的通孔与牺牲凹部相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 覆盖 衬底 mems 器件 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：介电层，设置在第一衬底上，所述介电层中形成有牺牲凹部；膜层，形成在所述介电层上且悬置在所述牺牲凹部上方，其中，穿过所述膜层形成至少一个与所述牺牲凹部对准的通孔；以及覆盖式衬底，与所述膜层相接合，以形成第二凹部，所述第二凹部通过形成在所述膜层中的通孔与所述牺牲凹部相连接。
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