[发明专利]带有覆盖式衬底的MEMS器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

介电层，设置在第一衬底上，所述介电层中形成有牺牲凹部；

膜层，形成在所述介电层上且悬置在所述牺牲凹部上方；以及

覆盖式衬底，与所述膜层相接合，以形成第二凹部，所述第二凹部通过形成在所述膜层中的通孔与所述牺牲凹部相连接。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一衬底包括硅通孔，所述硅通孔与金属接合焊盘相连接，所述金属接合焊盘形成在所述第一衬底的与所述介电层相对的一侧。

3.根据权利要求2所述的器件，进一步包括：与所述金属接合焊盘共晶接合的CMOS衬底。

4.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：位于所述牺牲凹部的底部的底部电极层和位于所述牺牲凹部的顶部的顶部电极层。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述顶部电极层的导电元件在所述牺牲凹部上方延伸。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一衬底是电阻至少为1000ohm-cm的高电阻衬底。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述覆盖层与形成在所述膜层上的薄介电层熔融接合。

8.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：位于所述牺牲凹部的内壁上的薄介电层。

9.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：

在第一衬底上形成介电层；

在形成在所述介电层中的牺牲凹部中形成牺牲材料；

在所述介电层和所述牺牲材料上方形成膜层；

通过至少一个穿过所述膜层形成的通孔来释放所述牺牲材料；以及

将覆盖式衬底与所述膜层相接合，以形成第二凹部，所述第二凹部通过形成在所述膜层中的通孔与所述牺牲凹部相连接。

10.一种集成电路器件，包括：

介电层，设置在第一衬底上，所述介电层中形成有牺牲凹部，其中，所述第一衬底包括硅通孔；

顶部电极层，位于所述牺牲凹部的顶部；

底部电极层，位于所述牺牲凹部的底部；

膜层，形成在所述介电层上；

覆盖式衬底，与所述膜层相接合，以形成第二凹部，所述第二凹部通过形成在所述膜层中的通孔与所述牺牲凹部相连接；以及

CMOS衬底，通过共晶接合与所述第一衬底的相对于所述介电层的侧面相连接，并且通过所述硅通孔与所述第一衬底电连接。