[发明专利]多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法无效
| 申请号： | 201310242978.4 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103318892A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 安广野;谭毅;姜大川 | 申请（专利权）人： | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266234 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于多晶硅定向凝固领域，具体涉及一种多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法，在真空环境下将多晶硅原料加热熔化形成硅液，然后充入氩气，通过拉锭机构对硅液进行定向凝固，当硅液定向凝固到75～85%时，开启真空泵抽气，使得硅液表面凝固成一层硅壳；再用石英玻璃棒在硅壳表面进行破碎，破碎成一个开口，硅液中的挥发性气体杂质受到负压的影响带动硅液不断从开口中溢出并在硅壳上凝固；当定向凝固全部完成后，切去多晶硅铸锭的上层，剩余部分即为提纯后的多晶硅铸锭。本发明能够通过简单有效的方法，有效的分离多晶硅铸锭和金属杂质，并且抑制金属杂质反扩散，从而减少切除的尾部废料。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 定向 凝固 诱导 流动 抑制 杂质 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法，在真空环境下将多晶硅原料加热熔化形成硅液，然后充入氩气，通过拉锭机构对硅液进行定向凝固，其特征在于当硅液定向凝固到75～85%时，按照以下步骤进行诱导流动抑制杂质反扩散：（1）开启真空泵抽气，使得硅液表面凝固成一层硅壳；（2）用石英玻璃棒在硅壳表面进行破碎，破碎成一个开口，硅液中的挥发性气体杂质受到负压的影响带动硅液不断从开口中溢出并在硅壳上凝固；（3）定向凝固全部完成后，切去多晶硅铸锭的上层，剩余部分即为提纯后的多晶硅铸锭。
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