[发明专利]多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法

权利要求书

1.一种多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法，在真空环境下将多晶硅原料加热熔化形成硅液，然后充入氩气，通过拉锭机构对硅液进行定向凝固，其特征在于当硅液定向凝固到75～85%时，按照以下步骤进行诱导流动抑制杂质反扩散：

（1）开启真空泵抽气，使得硅液表面凝固成一层硅壳；

（2）用石英玻璃棒在硅壳表面进行破碎，破碎成一个开口，硅液中的挥发性气体杂质受到负压的影响带动硅液不断从开口中溢出并在硅壳上凝固；

（3）定向凝固全部完成后，切去多晶硅铸锭的上层，剩余部分即为提纯后的多晶硅铸锭。

2.根据权利要求1所述的多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法，其特征在于多晶硅原料的纯度为99.0%～99.5%。

3.根据权利要求1所述的多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法，其特征在于多晶硅原料加热成硅液的温度为1450～1550℃。

4.根据权利要求1所述的多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法，其特征在于充入氩气后压强为40000～60000Pa。

5.根据权利要求1所述的多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法，其特征在于步骤（1）中的开启真空泵抽气是在10～20分钟内将压强减小至0.5～5Pa。

6.根据权利要求1所述的多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法，其特征在于步骤（2）中切去的多晶硅铸锭上层占整个多晶硅铸锭体积的5%～20%。