[发明专利]脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜无效
| 申请号： | 201310235493.2 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103290366A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 韩培培;王丽;权纯逸;连建设 | 申请（专利权）人： | 沈阳飞机工业（集团）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 | 代理人： | 杨光 |
| 地址： | 110034 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜，方法如下：1）靶材的选择：采用Al-Zn靶，其中Al含量为2.5wt.%~3.5wt.%；2）石英玻璃衬底的清洗；3）抽真空：将清洗后的石英玻璃片放入沉积室，将沉积室抽真空至3.0×10-4Pa~7.0×10-4Pa；4）向沉积室里充N2O气体（纯度为99.99%）：使N2O气体压强在3~7Pa；5）薄膜沉积：采用脉冲激光器在石英玻璃衬底温度为480~520℃，沉积48~52min。本发明制备的Al-N共掺杂P型ZnO薄膜具有高度的002晶面优先取向和良好的结晶质量，表现出优异的光学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 激光 沉积 法制 al 掺杂 zno 薄膜 | ||
【主权项】：
脉冲激光沉积法制备Al‑N共掺杂P型ZnO薄膜，其特征在于方法如下：1）靶材的选择：采用Al‑Zn靶，其中Al含量为2.5 wt.%~3.5 wt.%；2）石英玻璃衬底的清洗；3）抽真空：将清洗后的石英玻璃片放入沉积室，将沉积室抽真空至3.0×10‑4 Pa ~7.0×10‑4 Pa； 4）向沉积室里充纯度为99.99%的N2O气体：使N2O气体压强在3~7 Pa；5）薄膜沉积：采用脉冲激光器在石英玻璃衬底温度为480~520 ℃，沉积48~52 min。
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