[发明专利]一种含有孔隙结构C/SiC涂层及其制备方法

摘要

本发明公开了一种含有孔隙结构C/SiC涂层及其制备方法，所制备的C/SiC涂层材料与基体结合紧密，分为典型的三区结构：界面结合区、孔隙过渡区和外层致密区，涂层的致密外层和界面层之间的区域分布许多直径在3-20μm的孔隙。本发明的制备工艺是在自行设计的“狭缝式”沉积室内，控制狭缝尺寸在2-8mm，以MTS作为SiC源气体，以H2作为MTS的载气，H2和Ar作调节气体，制备含直径在3-20μm孔隙结构的C/SiC涂层。大流量负压快速沉积工艺，利用反应气体迅速通过狭缝气道沉积。本发明制备的含有孔隙结构C/SiC涂层提高涂层和基体材料结合强度，极大程度上缓解了由于热应力引起的涂层裂纹，大大改善了涂层的使用性能。同时克服了普通工艺气相制备涂层周期长、尺寸受限的问题。

主权项

一种含有孔隙结构C/SiC涂层，其特征在于：涂层由基体材料至涂层方向分为三区域：界面结合区、孔隙过渡区和外层致密区，界面结合区位于基体材料表面附近，厚度在10‑30μm之间，涂层和基体材料界面兼容性良好，结合紧密，SiC涂层渗入基体材料表面，存在明显的基体到SiC涂层的成分梯度；孔隙过渡区位于界面结合区和外部致密区之间，厚度在20‑100μm之间，孔隙过渡区分布许多直径在3‑20μm的孔隙。