[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片镀膜工艺有效
| 申请号： | 201310227823.3 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103290374A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 胡党平;付少剑;何伟;连维飞;苗成祥;魏青竹;保罗 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/00;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄珩 |
| 地址： | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，所述工艺包括以下步骤：（1）进舟：将硅片放入石英舟中；（2）升温：通入氮气后升温；（3）预清洗：同时通入氮气和氨气并开启射频进行预清洗；（4）等离子溅射沉积：通入氨气和硅烷，开启射频等离子溅射沉积；（5）出舟；（6）冷却。本发明的有益效果是：缩短生产时间，提升生产产能，缩短工艺运行时间缩短6分钟；节省氨气使用量，降低生产成本；改善氮化硅薄膜的均匀性；提升电池片的转换效率；方法简单可行，不需要增加额外工序步骤和物料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 镀膜 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：（1）进舟：将硅片放入石英舟中；（2）升温：通入氮气后升温；（3）预清洗：同时通入氮气和氨气并开启射频进行预清洗；（4）等离子溅射沉积：通入氨气和硅烷，开启射频等离子溅射沉积；（5）出舟；（6）冷却。
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