[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片镀膜工艺有效
| 申请号： | 201310227823.3 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103290374A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 胡党平;付少剑;何伟;连维飞;苗成祥;魏青竹;保罗 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/00;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄珩 |
| 地址： | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 镀膜 工艺 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：
（1）进舟：将硅片放入石英舟中；
（2）升温：通入氮气后升温；
（3）预清洗：同时通入氮气和氨气并开启射频进行预清洗；
（4）等离子溅射沉积：通入氨气和硅烷，开启射频等离子溅射沉积；
（5）出舟；
（6）冷却。
2.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，其特征在于，所述步骤（2）中通入氮气后升温是在10分钟内升温升至410℃。
3.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，其特征在于，所述步骤（2）中通入氮气后升温是在8分钟内升温升至420℃。
4.如权利要求1~3任一所述的晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，其特征在于，所述步骤（3）为同时通入流量为3升/分钟的氮气和2升/分钟的氨气。
5.如权利要求1~3任一所述的晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，其特征在于，所述步骤（3）为同时通入流量为5升/分钟的氮气和1升/分钟的氨气。
6.如权利要求1~3任一所述的晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，其特征在于，所述步骤（3）中开启射频预清洗时间为1分钟。
7.如权利要求1~3任一所述的晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，其特征在于，所述步骤（3）中开启射频预清洗时间为0.5分钟。
8.如权利要求1~3任一所述的晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，其特征在于，所述步骤（4）为通入流量为6.8升/分钟的氨气和700毫升/分钟的硅烷，等待30 秒后开启射频等离子溅射沉积13.3分钟。
9.如权利要求1~3任一所述的晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，其特征在于，所述步骤（4）为通入流量为6.8升/分钟的氨气和660毫升/分钟的硅烷，等待60 秒后开启射频等离子溅射沉积13.3分钟。
10.如权利要求1~3任一所述的晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，其特征在于，所述步骤（5）的出舟时间为2分钟。
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