[发明专利]一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构无效
| 申请号： | 201310226207.6 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103296065A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 金智;陈娇;麻芃;王显泰;彭松昂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/08;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，该结构是在石墨烯材料与金属的接触区域使用多层石墨烯，在沟道区域使用单层石墨烯。利用本发明，减小了石墨烯与金属接触的电阻，从而有效的增加了石墨烯FET器件的开态电流，提高了器件的跨导和截止频率，并且改善了石墨烯FET器件的不对称性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 石墨 材料 金属 接触 电阻 结构 | ||
【主权项】：
一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，其特征在于，该结构是在石墨烯材料与金属的接触区域使用多层石墨烯，在沟道区域使用单层石墨烯。
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