[发明专利]一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构无效
| 申请号： | 201310226207.6 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103296065A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 金智;陈娇;麻芃;王显泰;彭松昂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/08;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 石墨 材料 金属 接触 电阻 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，其特征在于，该结构是在石墨烯材料与金属的接触区域使用多层石墨烯，在沟道区域使用单层石墨烯。
2.根据权利要求1所述的减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，其特征在于，所述多层石墨烯在接触区域与金属或金属电极接触，多层石墨烯的层数在2～10层之间变化。
3.根据权利要求2所述的减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，其特征在于，所述多层石墨烯的层数为2层、3层、4层、5层、6层、7层、8层、9层或10层。
4.根据权利要求1所述的减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，其特征在于，所述单层石墨烯作为导电沟道，保证沟道区载流子的高迁移率。
5.根据权利要求1所述的减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，其特征在于，所述金属采用钛和金、铬和金、钯和金、镍和金或者铂和金。
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