[发明专利]发光装置的制造方法有效
| 申请号： | 201310225154.6 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103489987A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 奥山峰夫 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是抑制半导体发光元件的电极与线的连接不良的发生。作为解决手段，提供一种发光装置的制造方法，其包括：芯片接合工序（步骤201），将具备叠层半导体层、和具有金属层和覆盖层的电极，覆盖层的厚度被设定得比100nm小、且覆盖层形成有露出到外部的露出面的半导体发光元件，以与露出面相反侧的面与粘接对象部件对向的方式，通过包含硅树脂的粘接剂装载在粘接对象部件上后，对粘接剂进行加热，从而将半导体发光元件粘接在粘接对象部件上，所述叠层半导体层包含通过通电而发光的发光层，所述金属层由包含Au的金属材料构成且设在叠层半导体层上，所述覆盖层由包含Ni或Ta的材料构成且覆盖金属层；和线接合工序（步骤203），针对粘接在粘接对象部件上的半导体发光元件的电极，将线连接在露出面上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光装置的制造方法，包括：芯片接合工序，将具备半导体层、与具有金属层和被覆层的电极，该被覆层的厚度被设定得比100nm小、且该被覆层形成有露出到外部的露出面的半导体发光元件，以与该露出面相反侧的面与粘接对象部件对向的方式，通过包含硅树脂的粘接剂装载在该粘接对象部件上后，对该粘接剂进行加热，从而将该半导体发光元件粘接在该粘接对象部件上，所述半导体层包含通过通电而发光的发光层，所述金属层由包含Au的金属材料构成且设在该半导体层上，所述被覆层由包含Ni或Ta的材料构成且被覆该金属层；和线接合工序，针对粘接在所述粘接对象部件上的所述半导体发光元件的所述电极，将线连接在所述露出面上。
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