[发明专利]发光装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光装置的制造方法。

背景技术

已知一种半导体发光元件，其由化合物半导体构成，具有：包含通过通电而发光的发光层的叠层半导体层；和设在叠层半导体层上并向叠层半导体层供给电力的电极。

专利文献1中记载了一种半导体发光元件，其由Au构成设在叠层半导体层上的电极的最上层。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-210050号公报

发明内容

这样的半导体发光元件，在使用粘接剂被芯片接合在框架等的对象物上后，通过在电极上连接线，作为发光装置使用。

但是，在制造发光装置时，有时发生线没有被粘接在半导体发光元件的电极上、或粘接在电极上的线剥离等电极与线的连接不良。

特别是在使用包含硅树脂的粘接剂将半导体发光元件芯片接合在框架等的情况下，容易发生电极和线的连接不良。

另一方面，例如若使用不包含硅树脂的环氧树脂作为芯片接合用粘接剂，则难以发生电极和线的连接不良。但是，环氧树脂针对波长为500nm以下的短波长的光容易劣化，不适于作为用于对发光波长为短波长的半导体发光元件进行芯片接合的粘接剂。由此，作为发光波长为500nm以下的半导体发光元件所使用的芯片接合用粘接剂，从抑制因光导致的劣化的观点考虑优选包含硅树脂的粘接剂。

本发明的目的在于抑制半导体发光元件的电极和线的连接不良的发生。

根据本发明，提供一种发光装置的制造方法，其包括：

芯片接合工序，将具备半导体层、与具有金属层和被覆层的电极，该被覆层的厚度被设定得比100nm小、且该被覆层形成有露出到外部的露出面的半导体发光元件，以与该露出面相反侧的面与粘接对象部件对向的方式，通过包含硅树脂的粘接剂装载在该粘接对象部件上后，对该粘接剂进行加热，从而将该半导体发光元件粘接在该粘接对象部件上，所述半导体层包含通过通电而发光的发光层，所述金属层由包含Au的金属材料构成且设在该半导体层上，所述被覆层由包含Ni或Ta的材料构成且被覆该金属层；和

线接合工序，针对粘接在所述粘接对象部件上的所述半导体发光元件的所述电极，将线连接在所述露出面上。

在这里，可以是特征在于：在所述线接合工序中，针对所述半导体发光元件的所述金属层，破坏所述被覆层来连接所述线。

另外，可以是特征在于，在所述芯片接合工序中，将所述电极中的所述被覆层的膜结构为岛状结构的所述半导体发光元件粘接在所述粘接对象部件上。

进而，可以是特征在于，在所述线接合工序中，针对所述电极，连接由包含Au的金属材料构成的所述线。

进而，可以是特征在于，在实施了所述芯片接合工序后，实施所述线接合工序之前，还包括下述洗涤工序：对粘接在所述粘接对象部件上的所述半导体发光元件中的所述电极的所述露出面进行洗涤。

在这里，可以是特征在于，所述洗涤工序包含使所述露出面中的Ni或Ta减少的工序。

进而，可以是特征在于，在所述洗涤工序中，通过等离子体洗涤来使所述露出面中的Ni或Ta减少。

从其他的观点考虑，根据本发明，提供一种发光装置的制造方法，其包括：

元件形成工序，通过在半导体层上层叠金属层、并在该金属层上层叠被覆层，来形成半导体发光元件，所述半导体层包含通过通电而发光的发光层，所述金属层由包含Au的金属材料构成且层叠在该半导体层上，所述被覆层由包含Ni或Ta的材料构成、并且厚度为1nm以上50nm以下的范围；

芯片接合工序，将通过所述元件形成工序形成的所述半导体发光元件，以所述被覆层露出的方式，通过包含硅树脂的粘接剂装载在粘接对象部件上后，对该粘接剂进行加热，从而将该半导体发光元件粘接在该粘接对象部件上；和

线接合工序，通过粘接在所述粘接对象部件上的所述半导体发光元件的所述被覆层，将线和所述金属层连接。

在这里，可以是特征在于，所述元件形成工序包含下述工序：以所述半导体层露出的方式在该半导体层的一部分的区域上层叠所述金属层，并以覆盖该金属层的方式层叠所述被覆层之后，以该被覆层的一部分露出的方式在该半导体层上以及该被覆层上层叠从外部保护该半导体层的保护层。

根据本发明，能够抑制半导体发光元件的电极与线的连接不良的发生。

附图说明

图1是应用本实施方式的半导体发光元件的截面模式图的一例。

图2是应用本实施方式的发光装置的截面模式图的一例。