[发明专利]一种重复使用的半导体基底及其纯化重复使用方法无效
| 申请号： | 201310224716.5 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103346079A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘凤全;叶继春 | 申请（专利权）人： | 刘凤全 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L29/06 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 孙高 |
| 地址： | 美国加利福尼*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种重复使用的半导体基底，利用在原来基底本体的基础上添加缓冲层和保护层整体作为新的半导体基底使用，可有效的保护基底本体，减少基底本体上的缺陷，缩小基底本体的表面去除量，提高重复使用次数。同时本发明又提供一种操作方便可行的对半导体基底进行纯化重复使用的方法，使外延薄膜剥离技术的生产成本大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 重复使用 半导体 基底 及其 纯化 方法 | ||
【主权项】：
一种重复使用的半导体基底，其特征在于：包括基底本体、至少一层保护层和至少两层缓冲层，保护层处于各缓冲层之间；各层缓冲层中，具有一层设置于保护层与基底本体之间的最底缓冲层；具有一层处于整个半导体基底的上表面的最顶缓冲层，最底缓冲层与基底本体的材质相同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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